1. Photonic crystal structure and method of fabricating the same : US 9,933,567, (2018-04-03), Korea 10-1862468 (2019-05-23)
  2. 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 및 그 제조방법 : Korea 10-1844327 (2018-03-27)
  3. 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 : Korea 10-1823261 (2018-01-23)
  4. Electrochromic photonic-crystal reflective display device and method manufacturing the same; Korea 10-1825141 (2018-01-29)
  5. Porous layer, low-reflective coating layer, optical member, and methods of fabricating the porous layer : Korea 10-1815767 (2017-12-29)
  6. 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자 및 그 제조방법 : Korea 10-1703454 (2017-01-31)
  7. 블록공중합체 박막의 나노구조체 제조방법 및 안정구조 유지시간 조절 : Korea 10-1725625 (2017-04-04)
  8. 블록공중합체의 가교반응을 이용한 고체상태 광자결정 박막 제조방법 및 그 광자결정 박막 : Korea 10-1724945 (2017-04-03)
  9. 플렉서블 다층 박막 내구성 평가 장치 및 방법 : Korea 10-1677840 (2016-11-14)
  10. 광자 결정 소자, 상기 광자 결정 소자 제조 방법 및 상기 광자결정 소자를 포함하는 반사형 디스플레이 장치 : Korea 10-1623461 (2016-05-17)
  11. 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 : Korea 10-1603502 (2016-03-09)
  12. 전이금속 디칼코게나이드 박리 방법, 전이금속 디칼코게나이드 박막 제조 방법, 상기 박막 제조를 위한 전이금속 디칼코게나이드 용액 및 상기 박막을 이용한 광 검출기 : Korea 10-1591240 (2016-01-28)
  13. 수직 채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 : Korea 10-1656375 (2016-09-05)
  14. Electroactive polymer actuator and method of manufacturing the same : EPO 2463926 (2017-01-11), Japen 5855915 (2015-12-18)
  15. 콜로이드 양자점 복합체 발광층, 상기 복합체 발광층을 적용한 발광 소자, 상기 발광 소자의 제조 방법 : Korea 10-1441193 (2014-09-05)
  16. 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법 : Korea 10-1438273 (2014-08-29)
  17. MWNT를 포함하는 교류 발광 소자 및 그 제조방법: Korea 10-1435595 (2014-08-22)
  18. 코로나 방전을 이용한 유기박막트랜지스터의 제조 방법 : Korea 10-1200582 (2012-11-06)
  19. Liquid lens : EPO 2295498 (2012-07-18), Korea 10-1675130 (2016-11-04)
  20. PVDF-TrFE/토포그래픽 나노패턴 OS의 복합 절연층의 제조방법, 상기 절연층을 적용한 커패시터 및 전계효과트랜지스터의 제조 방법 : Korea 10-1148338 (2012-05-15)
  21. Control of the area density of vertically grown ZnO nanowires by controlling the blending ratio of two different copolymer micelles: Korea 10-1010071 (2011-01-14)
  22. Capacitor, FeFET and FeFET type non-volatile memory with ordered ferroelectirc PVDF-TrFE thin film by high throughput epitaxy: Korea 0999721 (2010-12-02)
  23. The transparent composite film with SWNTs/block copolymer and the manufacturing method: Korea 0970305 (2010-07-07)
  24. Hierarchical Ordering of Block Copolymer Nanostructures by Solvent Annealing Combined with Controlled Dewetting: Korea 0935863 (2009-12-30)
  25. The method of manufacturing ferroelectric pattern array of PVDF by micro-imprinting: Korea 0806699 (2008-02-18)
  26. High thermal stability of ferroelectric polymer capacitors using etched aluminum oxide bottom electrode: Korea 0873893 (2008-12-08)
  27. Dispersion of single wall carbon nanotubes using amphiphilic block copolymer micelles: Korea 0804072 (2008-02-11)
  28. Micro/nano patterning of polymer thin films by microimprinting combined with dewetting: Korea 0797007 (2008-01-16)
  29. Method of modifying the surface property of PFRAM bottom electrode and the PFRAM made by the method: Korea 0751882 (2007-08-17)
  30. Fabrication of thin polymer films based on corona discharge coating: Korea 0743836 (2007-07-23)
  31. The patterning method of nanosized blockcopolymer micelle: Korea 0696254 (2007-03-12)
  32. Large Area Orientation of Block Copolymer Microdomains in Thin Films via Directional Crystallization of a Solvent: US 6,893,705 (2005-05-17)